半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器檢測

檢測流程

1、寄樣

2、初檢樣品

3、報價

4、雙方確定，簽訂保密協(xié)議，開始實(shí)驗(yàn)。

5、結(jié)束實(shí)驗(yàn)

6、郵寄檢測報告

檢測標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.1

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.2

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.3

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.7

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.7

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.8

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.10

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.12

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.15

半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.17

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1101-1103

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027B-20211101

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20212015.2

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20212003.2

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20212011.2

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548C-20211015.1

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20211005.1

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20212004.3

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548C-20211010.1

檢測項目

電壓調(diào)整率SV，電流調(diào)整率SI，電源紋波抑制比Srip，耗散電流ID，耗散電流變化AID，短路電流IOS，基準(zhǔn)電壓VREF，最小輸入輸出電，壓差VDROP，輸出電流限制llimit，輸出電壓VO，鍵合強(qiáng)度，剪切強(qiáng)度，耐溶劑性，可焊性，鍵合強(qiáng)度(破壞性鍵合拉力試驗(yàn))，老煉試驗(yàn)，穩(wěn)態(tài)壽命，引線車固性，溫度循環(huán)，耐濕，密封，機(jī)械沖擊，掃頻振動，恒定加速度，鹽霧(鹽汽)，靜電放電敏感度的分級，粒子碰撞噪聲檢測試驗(yàn)，高溫貯存

檢測周期：7-15個工作日，試驗(yàn)可加急