半導體器件高溫工作壽命試驗

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.23半導體器件機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
IEC 60749- -23： 2010半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
IEC 60747 （所有章節） 半導體器件-分立器件和集成電路
IEC 60749-34： 半導體器件-機械和氣候試驗方法-第34部分：功率循環（間歇壽命）

高溫工作壽命測試是很通用的可靠性測試方式之一，幾乎所有的半導體器件都會經歷這項測試。半導體器件高溫工作壽命試驗，即利用高溫，電壓加速的方式，在一定時間內通過加速測試，來預估這個電子器件在未來長時間內的正常工作的壽命，即電子器件的生命周期的預估。
健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備高溫工作壽命試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的高溫工作壽命試驗服務。

健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備高溫工作壽命試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的高溫工作壽命試驗服務。

根據對應的壽命試驗規范規定，在壽命試驗的開始、每個中間臨時過程的節點和壽命試驗結束后需進行測試。 臨時測試和最終測試可以包括高溫測試。然而，升溫測試只能在指定室溫（和更低）測試之后。
臨時測試后，在實驗室升溫前或移入高溫實驗室10分鐘之內應加載偏置。去除偏置96h內完成電學參數測試，越快越好。 如果測試遇到缺乏儀器或其他要素等困難，器件上的偏置應當保留，可以延長偏置應力壽命，或者在室溫下對器件施加偏置直到滿足96h的期限。