半導體器件環境試驗

氣候環境試驗：低氣壓試驗、濕熱試驗、壽命試驗、高溫試驗、耐久性試驗、快速溫度變化試驗、鹽霧試驗、耐潮濕試驗、高溫工作壽命、溫度循環試驗、高壓蒸煮試驗
其他環境試驗：密封試驗、沖擊試驗、振動試驗、強度試驗、耐焊接熱試驗、剪切強度、鍵合強度、易燃性試驗、跌落試驗

半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。 在半導體器件的制造、運輸、儲存和使用過程中，很容易受到周圍氣候環境因素的有害影響。
隨著科學技術的進步，特別是航空航天技術的發展，各種半導體器件所處的環境可能更復雜更嚴苛。這就要求在開始研發時就應該考慮預期的環境因素對半導體器件的影響，并采取相應的防護措施。
半導體器件環境試驗是將半導體器件、設備暴露在自然環境和人工模擬的環境中，從而對它們在實際可能遇到的儲存、運輸和使用過程中的性能作出評價。 健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件環境試驗設備，具備環境試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的環境試驗服務。

健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件環境試驗設備，具備環境試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的環境試驗服務。

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.2-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第2部分:低氣壓
GB/T 4937.4-2012 半導體器件機械和氣候試驗方法 第4部分:強加速穩態濕熱試驗(HAST)
EN 60749-5-2003 半導體器件機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫度濕度偏差壽命試驗
EN 60749-6-2002 半導體器件機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
GB/T 4937.8 半導體器件機械和氣候試驗方法 第8部分:密封
IEC 60749-9：2017 半導體器件-機械和氣候試驗方法-第9部分：標記的持久性
GB/T 4937.10 半導體器件機械和氣候試驗方法 第10部分:機械沖擊
GB/T 4937.11-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第11部分:快速溫度變化 雙液槽法
GB/T 4937.12-2012 半導體器件機械和氣候試驗方法 第12部分:掃頻振動
GB/T 4937.13-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第13部分:鹽霧
GB/T 4937.14-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第14部分:引出端強度(引線牢固性)
GB/T 4937.15-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱
GB/T 4937.19-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第19部分:芯片剪切強度

常見半導體器件主要包括二端子、三端子和四端子器件。
兩端設備包括：二極管（整流二極管）、耿氏二極管、沖擊二極管、激光二極管、齊納二極管、肖特基二極管、PIN二極管、隧道二極管、發光二極管 （LED）、光電晶體管、光電管、太陽能電池、瞬態電壓抑制二極管、VCSEL；
三端設備包括：、雙極晶體管、場效應晶體管、達林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）、單結晶體管、可控硅整流器、晶閘管、雙向可控硅；
四端設備包括：光電耦合器（光耦合器）、霍爾效應傳感器（磁場傳感器）。